節能型功率半導體芯片生產線建設項目概覽

一、項目概況

‌建設單位‌：TCL環鑫半導體（天津）有限公司，投資金額3.98億元，在現有6英寸功率芯片年產90萬片產能基礎上，新增6英寸FRD、IGBT芯片年產35萬片產能‌23。

‌建設地點‌：天津濱海高新技術產業開發區華苑產業區（環外）海泰東路12號‌36。

‌技術方向‌：聚焦節能型功率半導體芯片，覆蓋FRD（快恢復二極管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等產品，適用于新能源、工業控制等領域‌36。

二、建設內容與節能措施

‌產線升級‌：保留現有SBD、VDMOS、TMBS、FRD芯片產線，新增IGBT專用設備及工藝，優化芯片能效比‌36。

‌節能設計‌：

選用高能效生產設備，優化工藝流程，降低單位產品能耗至行業先進水平‌48；

建立能源管理體系，配備智能監測系統，實現能耗動態管理‌48。閥門生產廠家